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MOSFET、IGBT、DIODE功率器件测试服务

蒲经理 | 来源:西安长禾半导体技术有限公司 发布时间:2024-05-23
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1个
供货总量
不限量
发货期限
自买家付款之日起3天内发货
品牌
长禾
产地
陕西西安

西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区,是一家从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业,是国家CNAS 认可实验室,属于国家大功率器件测试服务商。

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长禾实验室拥有的系统设备、的技术团队和完善的服务体系。实验室现有的测试仪器设备100余台套,测试人员20余名。我们紧跟国内标准,以客户需求为导向,不断服务项目和检测技术,借助便利的服务网络,为合作伙伴提供的技术服务。

长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是三代半导体(宽禁带半导体)应用解决方案服务商。

晶体管1直流增益半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3076.1只测: 1~50000
2集射极饱和压降半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3071只测: 0~1250A
3集射电极关态电流半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3041.1只测: 0~100mA
4集基电极关态电流半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3036.1只测: 0~100mA
5射基极关态电流半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3061.1只测: 0~100mA
6集射极反向击穿电压半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3011.2只测: -3.5kV~3.5kV
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3011只测: -3.5kV~3.5kV
7集基极反向击穿电压半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3001.1只测: -3.5kV~3.5kV
8射基极反向击穿电压半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3026.1只测: -3.5kV~3.5kV
9基射极电压半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3066.1只测: 0V~1250A
10稳态热阻半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3131.6只测: Ph:0.1W~250W


西安长禾半导体技术有限公司
联系人
蒲经理
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手机
17792574070
邮箱
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地址
陕西省西安市高新区锦业路69号创新商务公寓
主营产品
元器件制造销售检测,技术服务,检测测试,技术推广转让
网址
http://chbdt123.b2b.huangye88.com/m/

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